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VVZ 24
10
1: I GT ,
T VJ = 125°C
V G
V
2: I GT ,
3: I GT ,
T VJ = 25°C
T VJ = -40°C
1
1
2
3
6
4
5
4: P GAV = 0.5 W
5: P GM = 1 W
0.1
I GD , T VJ = 125°C
6: P GM = 10 W
1
10
100
1000
mA
I G
Fig. 1 Surge overload current per chip
I FSM : Crest value, t: duration
Fig. 2 I 2 t versus time (1-10 ms)
per chip
Fig. 3 Gate trigger characteristics
Triggering
Fig. 4 Power dissipation versus direct output current and ambient temperature
3
Zth JK
K/W
Zth JK
2
Constants for Z thJK calculation
1
i
1
2
R thi (K/W)
0.17
1.4
t i (s)
0.028
0.44
0
3
1.1
2.6
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
s
10 2
t
Fig. 5 Transient thermal impedance junction to heatsink
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
20110113d
3-3
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